SRAM

SRAM产品介绍

静态随机存取记忆体,具有高速,低功耗,可无限次擦写的特点;可用于通讯,服务器,汽车,工控,电力等场合

产品规格

规格说明书及样品申请

High Speed SRAM

• 提供64Kb-16Mb容量• 速度高达8ns
• 提供TSOP II/BGA封装
• 支持2.7V-5.5V宽电压

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Low Power SRAM

• 提供64Kb-64Mb容量
• 速度高达45ns
• 提供SOP/PDIP/TSOP I/TSOP II/BGA
• 支持2.7V-5.5V宽电压

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Low Power SRAM With ECC

• 提供1Mb/4Mb容量
• 电压2.7V-3.6V
• 提供44 TSOP II/ 48 BGA封装

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High Speed SRAM

Density Part Number Organization Speed Package Voltage 操作
1M MC61L6416 64K × 16 10/12/15 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 3.3V
2M MC61L2568A 256K × 8 8/10 (ns) 44 TSOP II 3.3V
2M MC61L12816A 128K × 16 8/10 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 3.3V
4M MC61L5128A 512K × 8 10/12 (ns) 44 TSOP II 3.3V
4M MC61L25616A 256K × 16 8/10 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 3.3V
8M MC61L10248A 1M × 8 8/10 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 3.3V
8M MC61L51216A 512K × 16 8/10 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 3.3V
16M MC61L102416A 1M × 16 10/12 (ns) 48 TSOP I / 48 BGA 3.3V
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Low Power SRAM

Density Part Number Organization Speed Package Voltage 操作
1M MC62W1024 128K × 8 35/55/70 (ns) 32 SOP / 32 PDIP / 32 TSOP I / 32 sTSOP / 36 BGA 2.7V~5.5V
1M MC62W6416 64K × 16 45/55/70 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 2.7V~5.5V
2M MC62W2568 256K × 8 55/70 (ns) 32 SOP / 32 TSOP I / 32 sTSOP / 36 BGA 2.7V~5.5V
2M MC62W12816 128K × 16 55/70 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 2.7V~5.5V
4M MC62W5128 512K × 8 55/70 (ns) 32 SOP / 32 PDIP / 32 TSOP I / 32 TSOP II / 32 sTSOP / 36 BGA 2.7V~5.5V
4M MC62W25616 256K × 16 55/70 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 2.7V~5.5V
8M MC62L10248 1M × 8 55/70 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 2.7V~3.6V
8M MC62L51216 512K × 16 55/70 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 2.7V~3.6V
16M MC62L20488A 2M × 8 55/70 (ns) 44 TSOP II 2.7V~3.6V
16M MC62L102516 1M × 16 55/70 (ns) 48 TSOP I 2.7V~3.6V
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Low Power SRAM With ECC

Density Part Number Organization Speed Package Voltage 操作
1M MC69L6416A 64K × 16 45/55 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 2.7V~3.6V
4M MC69L25616A 256K × 16 45/55 (ns) 44 TSOP II / 48 BGA 2.7V~3.6V
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