NVSRAM

NVSRAM产品介绍

NVSRAM 为 Non-volatile SRAM缩写，即为非易失性SRAM。NVSRAM具有SRAM高速读写，可无限次擦写的优点，同时断电后，也可将数据长期保留。NVSRAM适合既需要高速或高频次存储数据，同时又需要在断电后能将数据保留的应用。 同时，NVSRAM也可用于快速配置系统，利于系统快速启动和快速恢复。相对竞争者，我们的产品在速度和功耗上均有较大优势。

产品规格

规格说明书及样品申请

SPI NVSRAM

• 提供32Kb - 1Mb容量
• 读写速度高达133Mhz，支持快速读写
• 提供SOP-8/DFN-8/SOP-16封装
• 支持2.7V-3.6V电压

了解更多

QSPI NVSRAM

• 提供256Kb - 1Mb容量
• 提供SOIC/BGA/SOP-16封装
• 支持2.7V-3.6V电压, 可支持IO 1.8V电压
QSPI模式读写速度可达108Mhz

了解更多

Async NVSRAM

• 提供256Kb - 4Mb容量
• 读写速度可达10nS
• 电压2.7V-3.6V，可支持IO 1.8V电压
• 提供TSOP II/BGA封装

了解更多

SPI NVSRAM

Density Part Number Organization Speed(ns) Package Voltage 操作
64K MC90N64K0V33A 8K*8 80 8 SOP 2.7V~3.6V
64K MC90N64K0V33B 8K*8 133 8 SOP 2.7V~3.6V
256K MC90N256K0V33A 16K*8 80 8 DFN 2.7V~3.6V
256K MC90N256K0V33B 16K*8 183 8 DFN 2.7V~3.6V
512K MC90N512K0V33A 32K*8 80 8 DFN 2.7V~3.6V
512K MC90N512K0V33B 32K*8 183 8 DFN 2.7V~3.6V
1M MC90N1M0V33A 128K*8 80 8 DFN 2.7V~3.6V
1M MC90N1M0V33B 128K*8 183 8 DFN 2.7V~3.6V
返回产品

QSPI NVSRAM

Density Part Number Organization Speed(ns) Package Voltage 操作
256K MC90N256K2VM3 16K*8 110 16 SOP/24 BGA 2.7V~3.6V
512K MC90N512K2VM3 32K*8 110 16 SOP/24 BGA 2.7V~3.6V
1M MC90N1M2VM3 128K*8 110 16 SOP/24 BGA 2.7V~3.6V
2M MC90N2M2VM3 256K*8 110 16 SOP/24 BGA 2.7V~3.6V
返回产品

Async NVSRAM

Density Part Number Organization Speed(ns) Package Voltage 操作
256K MC90N256K8VM3 128K*8 12 48 BGA 2.7V~3.6V
256K MC90N256K9VM3 64K*16 12 48 BGA 2.7V~3.6V
512K MC90N512K8VM3 128K*8 12 48 BGA 2.7V~3.6V
512K MC90N512K9VM3 64K*16 12 48 BGA 2.7V~3.6V
1M MC90N1M8VM3 128K*8 12 48 BGA 2.7V~3.6V
1M MC90N1M9VM3 64K*16 12 48 BGA 2.7V~3.6V
4M MC90N4M8VM3 512K*8 12 48 BGA 2.7V~3.6V
4M MC90N4M9VM3 256K*16 12 48 BGA 2.7V~3.6V
返回产品